Ученые из Калифорнийского университета разработали технологию новых 
накопителей для мобильной электроники. Она найдет свое применение в смартфонах, планшетах, ноутбуках и цифровых камерах.
В основе лежит резистивная память, позволяющая мастерить ячейки памяти очень маленькими. Она работает на высокой скорости и позволяет основывать накопители большего объема, чем на базе флеш-технологии, которая в сегодняшнее время является промышленным стандартом. Для резистивной памяти обычен накопитель, емкость которого исчисляется в терабайтах, а не в гигабайтах, будто это сегодня привычно. Нужно отметить, что если вас интересуют ювелирные украшения, то вам нужно побывать сайт — .
Скоро знание о том, будто работает флешка займет пункт в учебниках истории. Ключевым моментом технологии является разработка нано-«островков» из оксида цинка, размещаемой на кремниевой основе. Это позволяет ликвидировать второй элемент, именуемый устройством-переключателем, в роли которого нередко выступает диод. Резистивная память обыкновенно характеризуется металл-оксид-металлической структурой.
Учеными была продемонстрирована альтернатива, сформированная из нано-«островков», материалом для формирования которых является оксид цинка.
Также рекомендуем вам: